碳化硅的化学性质中最重要的是它的抗氧化性能，碳化硅在空气中加热到1000℃以上时，仅在其表面氧化，生成一层二氧化硅薄膜，这样使得碳化硅有较好的抗氧化性能。1300℃时薄膜层二氧化硅开始有方石英析出，晶型的转变引起薄膜层开裂，从而氧化速度有所增加。在1500~1600℃时，由于SiO2层的增厚，限制了氧化作用，这使得碳化硅能在1600℃高温下长期稳定使用。