什么是碳化硅SiC及碳化硅SiC有哪些特点
碳化硅（SiC）是一种自然界中罕见的共价化合物，其中碳（C）和硅（Si）以一一对应的方式相互结合。
碳化硅（SiC）具有高硬度、良好的耐热性和良好的导热性，因此被用作磨料和耐火材料。此外，由于其在高温下的优异耐热性，它最近作为半导体等材料受到了广泛关注。
高硬度
碳化硅（SiC）是地球上第三硬的化合物，使其不易因压缩而变形。其新莫氏硬度为13，只有金刚石（新莫氏硬度：15）和碳化硼（新莫氏硬度：14）具有更高的硬度。
低热膨胀
碳化硅（SiC）对因温度升高而引起的长度和体积变化具有很强的抵抗力。与金属相比，它的抗热冲击性极高，热膨胀率较低，为 4.5 x 10-6/ °C，同时具有导热性。
良好的抗氧化性
颗粒状碳化硅（SiC)在700 °C或更高温度下开始氧化，该温度取决于它是烧结物体还是粉末，如果是粉末形式，则取决于其大小。
碳化硅（SiC）与氧反应产生的氧化产物是 SiO2（二氧化硅），其密度足够大，可以覆盖碳化硅（SiC）的整个表面，从而限制氧化（高氧分压下的保护性氧化），从而保护碳化硅（SiC）免受氧化。
在高温和低氧分压下，碳化硅（SiC）会变成 SiO 并蒸发，数量减少但不会产生 SiO2。
卓越的耐热性
碳化硅（SiC）具有极高的耐热性。它在空气中高达 1,600°C 的温度下仍保持稳定，其分解温度为 2,545°C。尤其值得注意的是其出色的耐高温性。
良好的导热性
碳化硅（SiC）是良好的热导体。烧结体的导热率为 270 W/m·K，与准金属相当。
半导体特性
碳化硅（SiC）是一种半导体，其电阻变化大于 10 位数，范围从可用作加热元件的电阻区到接近绝缘的区域。此外，由于其绝缘击穿电场高、导热性高且带隙宽（比 Si 宽两到三倍），因此高温半导体等功率器件的研究和开发正在积极进行中。
耐化学性好
碳化硅（SiC）化学性质稳定，耐酸碱腐蚀。加热的氢氟酸和硝酸的混合酸以及浓氢氧化钠均不会对它产生影响。但是，碳化硅可以通过碳酸钠的熔融法分解，或通过氢氟酸、硝酸和硫酸混合物的高压酸分解法分解。
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